s사 반도체연구원입니당. 처음 제분야가 나온것같아 기쁘네요ㅎㅎ 설계에서 디자인하는 회로모양을 웨이퍼에 전사하기위해선 노광장비가 필요합니다. 마치 카메라같은거라고 보심됩니다. 그런데 웨이퍼의크기는 이미정해져있기때문에 칩을 작게만들수록 한 웨이퍼에서 뽑을수있는 반도체는 늘어나고 곧수익이 늘어납니다. 그래서 모든반도체회사들이 칩사이즈는 줄이고 소모전력도줄이고나 갭용량은 늘리는거에 사활을겁니다. 그러면 설계에서 회로를 무조건 작게 그리면되는데 그럴수가 없습니다. 노광장비에서 구현할수있는 한계해상능력이 있기때문입니다. 보통 물질이나 프로세스 조건으로도 이걸개선할수있지만 제일큰건 장비의 능력이죠. 한계해상능력은 얼마나 작은 사이즈의 패턴을 구현하냐인데 모든빛은 광학근접효과로인하여 그려진디자인이 노광후 그대로 웨이퍼에전사되지못합니다. 현재 장비의 해상능력은 얼마큼 짧은 파장의 빛을사용하는 장비인지에따라다릅니다.
짧은 파장일수록 아주 미세한수준까지 노광이가능하여
작은 디자인을만들수있고 칩사이즈도작아지고 수익도늘어나죠.
큰 회로선폭을위해선krf정도의파장을 사용하는 장비면되지만 현재 대부분의 칩메이커는 수십년간 arf파장을 주요 레이어를위해 사용합니다. 근데 euv는 현재의 arf보다 어마무시하게 파장이 짧아 반도체산업의 혁명이될수도있습니다. 허나 euv를 사용하는 노광장비는 에너지효율이 매우낮고 아직까진 안정화과 많이 돼있지않고 디팩이나 아웃풋등 넘어야할산이 많습니다. 결정적으로 한대에 2천억이넘습니다.. 하지만 업계에선 수년내에 현재의 arf장비처럼 mass대량생산이 가능한날이올거라고보고있습니다.
휴 최대한간단하게 얘기해봤는데 쓰고나니별내용이 없는거같네요ㅜㅡ 그냥 구글보시는게...

글쿤

그렇게 고3이 탄생하게 됨.